欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

IRF3707ZCLPBF

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO262

9027 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF3707ZCLPBF,现有足量库存。IRF3707ZCLPBF的封装/规格参数为:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;同时斯普仑现货为您提供IRF3707ZCLPBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRF3707ZCLPBF的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF3707ZCLPBF,现有足量库存。IRF3707ZCLPBF的封装/规格参数为:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;同时斯普仑现货为您提供IRF3707ZCLPBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRF3707ZCLPBF的详细使用方法及教程。

IRF3707ZCLPBF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IRF3707ZCLPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 59A TO262
制造商 Infineon Technologies
库存 9027
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1210 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 57W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-262
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

为智能时代加速到来而付出“真芯”