欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IRL3103PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB

5660 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL3103PBF，现有足量库存。IRL3103PBF的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRL3103PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL3103PBF的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL3103PBF，现有足量库存。IRL3103PBF的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRL3103PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL3103PBF的详细使用方法及教程。

IRL3103PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRL3103PBF
描述 MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
制造商 Infineon Technologies
库存 5660
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 12 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1650 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

猜您喜欢

Infineon Technologies

G15

Infineon Technologies

E3M0065090D

Infineon Technologies

C2M0080170P

Infineon Technologies

CPMF-1200-S160B

Infineon Technologies

CPMF-1200-S080B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0160B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0080B

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/GFX

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/CX

Infineon Technologies

PSMN7R6-60XSQ

Infineon Technologies

BUK761R5-40EJ

Infineon Technologies

PSMN8R5-108ESQ

Infineon Technologies

PSMN3R9-60XSQ

Infineon Technologies

BUK9C1R3-40EJ

Infineon Technologies

BUK951R8-40EQ

Infineon Technologies

PMT760EN,115

Infineon Technologies

PMT200EN,115

Infineon Technologies

BUK9C5R3-100EJ

Infineon Technologies

BUK9C3R8-80EJ

Infineon Technologies

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”