IRL3103D2PBF规格参数_irl3103d2pbf现货热销【斯普仑】

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IRL3103D2PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB

2512 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL3103D2PBF，现有足量库存。IRL3103D2PBF的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRL3103D2PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL3103D2PBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRL3103D2PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRL3103D2PBF
描述	MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
制造商	Infineon Technologies
库存	2512
系列	FETKY™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	44 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2300 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），70W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3