IRF7322D1TRPBF规格参数_irf7322d1trpbf现货热销【斯普仑】

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IRF7322D1TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

3059 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF7322D1TRPBF，现有足量库存。IRF7322D1TRPBF的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IRF7322D1TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF7322D1TRPBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF7322D1TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF7322D1TRPBF
描述	MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
制造商	Infineon Technologies
库存	3059
系列	FETKY™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	62 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	780 pF @ 15 V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）