欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

2N6788

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：TO-205AF 金属罐

描述：MOSFET N-CH 100V 6A TO39

1631 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的2N6788，现有足量库存。2N6788的封装/规格参数为:TO-205AF 金属罐；同时斯普仑现货为您提供2N6788数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N6788的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的2N6788，现有足量库存。2N6788的封装/规格参数为:TO-205AF 金属罐；同时斯普仑现货为您提供2N6788数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N6788的详细使用方法及教程。

2N6788产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N6788
描述 MOSFET N-CH 100V 6A TO39
制造商 Microsemi Corporation
库存 1631
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 18 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AF 金属罐

猜您喜欢

Microsemi Corporation

G15

Microsemi Corporation

E3M0065090D

Microsemi Corporation

C2M0080170P

Microsemi Corporation

CPMF-1200-S160B

Microsemi Corporation

CPMF-1200-S080B

Microsemi Corporation

CPM2-1200-0160B

Microsemi Corporation

CPM2-1200-0080B

Microsemi Corporation

BUK7Y25-80E/GFX

Microsemi Corporation

BUK7Y25-80E/CX

Microsemi Corporation

PSMN7R6-60XSQ

Microsemi Corporation

BUK761R5-40EJ

Microsemi Corporation

PSMN8R5-108ESQ

Microsemi Corporation

PSMN3R9-60XSQ

Microsemi Corporation

BUK9C1R3-40EJ

Microsemi Corporation

BUK951R8-40EQ

Microsemi Corporation

PMT760EN,115

Microsemi Corporation

PMT200EN,115

Microsemi Corporation

BUK9C5R3-100EJ

Microsemi Corporation

BUK9C3R8-80EJ

Microsemi Corporation

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”