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2N6849

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：TO-205AF 金属罐

描述：MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

6211 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的2N6849，现有足量库存。2N6849的封装/规格参数为:TO-205AF 金属罐；同时斯普仑现货为您提供2N6849数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N6849的详细使用方法及教程。

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2N6849产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N6849
描述 MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
制造商 Microsemi Corporation
库存 6211
系列 -
包装 散装
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 320 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 34.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AF 金属罐

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