欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK20C60W,S1VQ，现有足量库存。TK20C60W,S1VQ的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供TK20C60W,S1VQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK20C60W,S1VQ的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK20C60W,S1VQ，现有足量库存。TK20C60W,S1VQ的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供TK20C60W,S1VQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK20C60W,S1VQ的详细使用方法及教程。
| TK20C60W,S1VQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK20C60W,S1VQ |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 3465 |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 155 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
_SOT226%20Pkg.jpg)
