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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF7526D1TRPBF，现有足量库存。IRF7526D1TRPBF的封装/规格参数为:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IRF7526D1TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF7526D1TRPBF的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF7526D1TRPBF，现有足量库存。IRF7526D1TRPBF的封装/规格参数为:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IRF7526D1TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF7526D1TRPBF的详细使用方法及教程。
| IRF7526D1TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IRF7526D1TRPBF |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 2884 |
| 系列 | FETKY™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
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