IRLMS2002GTRPBF规格参数_irlms2002gtrpbf现货热销【斯普仑】

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IRLMS2002GTRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6

5392 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLMS2002GTRPBF，现有足量库存。IRLMS2002GTRPBF的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRLMS2002GTRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLMS2002GTRPBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRLMS2002GTRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLMS2002GTRPBF
描述	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
制造商	Infineon Technologies
库存	5392
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1310 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro6™（SOT23-6）
封装/外壳	SOT-23-6