GCMX080B120S1-E1规格参数_gcmx080b120s1-e1现货热销【斯普仑】

GCMX080B120S1-E1

制造商：SemiQ

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

3836 现货

斯普仑电子元件现货为您提供SemiQ设计生产的GCMX080B120S1-E1，现有足量库存。GCMX080B120S1-E1的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供GCMX080B120S1-E1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GCMX080B120S1-E1的详细使用方法及教程。

GCMX080B120S1-E1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	GCMX080B120S1-E1
描述	SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
制造商	SemiQ
库存	3836
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	58 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1336 pF @ 1000 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	142W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SOT-227
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC

GCMX080B120S1-E1

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