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ZXMN6A11GTA

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

1812 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMN6A11GTA，现有足量库存。ZXMN6A11GTA的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供ZXMN6A11GTA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZXMN6A11GTA的详细使用方法及教程。

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ZXMN6A11GTA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 ZXMN6A11GTA
描述 MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
库存 1812
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 330 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223-3
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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