RF4G060ATTCR规格参数_rf4g060attcr现货热销【斯普仑】

RF4G060ATTCR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：6-PowerUDFN

描述：PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS

3645 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RF4G060ATTCR，现有足量库存。RF4G060ATTCR的封装/规格参数为:6-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供RF4G060ATTCR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RF4G060ATTCR的详细使用方法及教程。

RF4G060ATTCR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RF4G060ATTCR
描述	PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3645
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	40 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	880 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	HUML2020L8
封装/外壳	6-PowerUDFN

RF4G060ATTCR

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