欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

TPH3R704PC,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP

7325 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH3R704PC,LQ，现有足量库存。TPH3R704PC,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH3R704PC,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3R704PC,LQ的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH3R704PC,LQ，现有足量库存。TPH3R704PC,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH3R704PC,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3R704PC,LQ的详细使用方法及教程。

TPH3R704PC,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPH3R704PC,LQ
描述 MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 7325
系列 U-MOSIX-H
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.7mOhm @ 41A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 47 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3615 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 830mW（Ta），90W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN

猜您喜欢

Toshiba Semiconductor and Storage

G15

Toshiba Semiconductor and Storage

E3M0065090D

Toshiba Semiconductor and Storage

C2M0080170P

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S080B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0080B

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/GFX

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/CX

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN7R6-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK761R5-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN8R5-108ESQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN3R9-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C1R3-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK951R8-40EQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT760EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT200EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C5R3-100EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C3R8-80EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”