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STQ1NK80ZR-AP

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

描述:MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3

5501 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STQ1NK80ZR-AP,现有足量库存。STQ1NK80ZR-AP的封装/规格参数为:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;同时斯普仑现货为您提供STQ1NK80ZR-AP数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STQ1NK80ZR-AP的详细使用方法及教程。

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STQ1NK80ZR-AP产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STQ1NK80ZR-AP
描述 MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
制造商 STMicroelectronics
库存 5501
系列 SuperMESH™
包装 剪切带(CT) , 带盒(TB)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”