NVTFS5116PLTWG规格参数_nvtfs5116pltwg现货热销【斯普仑】

NVTFS5116PLTWG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

9482 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFS5116PLTWG，现有足量库存。NVTFS5116PLTWG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFS5116PLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFS5116PLTWG的详细使用方法及教程。

NVTFS5116PLTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFS5116PLTWG
描述	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	9482
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	52 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1258 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），21W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NVTFS5116PLTWG

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