IRFH5210TRPBF规格参数_irfh5210trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH5210TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

2390 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH5210TRPBF，现有足量库存。IRFH5210TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFH5210TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH5210TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH5210TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH5210TRPBF
描述	MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	2390
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14.9 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2570 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

IRFH5210TRPBF

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