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STL3N10F7

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT

8733 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL3N10F7，现有足量库存。STL3N10F7的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供STL3N10F7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL3N10F7的详细使用方法及教程。

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STL3N10F7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STL3N10F7
描述 MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 8733
系列 DeepGATE™, STripFET™ VII
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 70 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 408 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™（2x2）
封装/外壳 6-PowerWDFN

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