TPH9R00CQH,LQ规格参数_tph9r00cqh,lq现货热销【斯普仑】

TPH9R00CQH,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM

7760 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH9R00CQH,LQ，现有足量库存。TPH9R00CQH,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH9R00CQH,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH9R00CQH,LQ的详细使用方法及教程。

TPH9R00CQH,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH9R00CQH,LQ
描述	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	7760
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5400 pF @ 75 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	960mW（Ta），210W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳	8-PowerVDFN

TPH9R00CQH,LQ

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