PSMN1R3-30YL,115规格参数_psmn1r3-30yl,115现货热销【斯普仑】

PSMN1R3-30YL,115

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：SOT-1023，4-LFPAK

描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

6990 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R3-30YL,115，现有足量库存。PSMN1R3-30YL,115的封装/规格参数为:SOT-1023，4-LFPAK；同时斯普仑现货为您提供PSMN1R3-30YL,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PSMN1R3-30YL,115的详细使用方法及教程。

PSMN1R3-30YL,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PSMN1R3-30YL,115
描述	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	6990
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6227 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	121W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56; Power-SO8
封装/外壳	SOT-1023，4-LFPAK

PSMN1R3-30YL,115

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