FDMC86570LET60规格参数_fdmc86570let60现货热销【斯普仑】

FDMC86570LET60

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33

1109 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMC86570LET60，现有足量库存。FDMC86570LET60的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMC86570LET60数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMC86570LET60的详细使用方法及教程。

FDMC86570LET60产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDMC86570LET60
描述	MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
制造商	onsemi
库存	1109
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Ta），87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.3 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	88 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4790 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），65W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Power33
封装/外壳	8-PowerWDFN

FDMC86570LET60

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