AUIRF7675M2TR规格参数_auirf7675m2tr现货热销【斯普仑】

AUIRF7675M2TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等距 M2

描述：MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET

4625 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRF7675M2TR，现有足量库存。AUIRF7675M2TR的封装/规格参数为:DirectFET™ 等距 M2；同时斯普仑现货为您提供AUIRF7675M2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AUIRF7675M2TR的详细使用方法及教程。

AUIRF7675M2TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AUIRF7675M2TR
描述	MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	4625
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.4A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	56 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1360 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.7W（Ta），45W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DirectFET™ 等距 M2
封装/外壳	DirectFET™ 等距 M2

AUIRF7675M2TR

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