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TK65E10N1,S1X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N CH 100V 148A TO220

3687 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK65E10N1,S1X，现有足量库存。TK65E10N1,S1X的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK65E10N1,S1X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK65E10N1,S1X的详细使用方法及教程。

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TK65E10N1,S1X产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK65E10N1,S1X
描述 MOSFET N CH 100V 148A TO220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 3687
系列 U-MOSVIII-H
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 148A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 81 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5400 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 192W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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