PSMN4R8-100PSEQ规格参数_psmn4r8-100pseq现货热销【斯普仑】

PSMN4R8-100PSEQ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

4526 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN4R8-100PSEQ，现有足量库存。PSMN4R8-100PSEQ的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供PSMN4R8-100PSEQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PSMN4R8-100PSEQ的详细使用方法及教程。

PSMN4R8-100PSEQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PSMN4R8-100PSEQ
描述	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	4526
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14400 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	405W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

PSMN4R8-100PSEQ

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