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IXTZ550N055T2

制造商：IXYS

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 55V 550A DE475

6435 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTZ550N055T2，现有足量库存。IXTZ550N055T2的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供IXTZ550N055T2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTZ550N055T2的详细使用方法及教程。

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IXTZ550N055T2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTZ550N055T2
描述 MOSFET N-CH 55V 550A DE475
制造商 IXYS
库存 6435
系列 TrenchT2™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 550A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 595 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 40000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 600W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DE475
封装/外壳 6-SMD，扁平引线

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