PMV120ENEAR规格参数_pmv120enear现货热销【斯普仑】

PMV120ENEAR

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB

2057 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV120ENEAR，现有足量库存。PMV120ENEAR的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供PMV120ENEAR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMV120ENEAR的详细使用方法及教程。

PMV120ENEAR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMV120ENEAR
描述	MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	2057
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	123 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	275 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	513mW（Ta），6.4W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PMV120ENEAR

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