RQ3E080GNTB规格参数_rq3e080gntb现货热销【斯普仑】

RQ3E080GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

5361 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RQ3E080GNTB，现有足量库存。RQ3E080GNTB的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供RQ3E080GNTB数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQ3E080GNTB的详细使用方法及教程。

RQ3E080GNTB产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RQ3E080GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
制造商	Rohm Semiconductor
库存	5361
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16.7 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	5.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	295 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），15W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

RQ3E080GNTB

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