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DMN30H4D0LFDE-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

1091 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN30H4D0LFDE-7，现有足量库存。DMN30H4D0LFDE-7的封装/规格参数为:6-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN30H4D0LFDE-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN30H4D0LFDE-7的详细使用方法及教程。

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DMN30H4D0LFDE-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN30H4D0LFDE-7
描述 MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
制造商 Diodes Incorporated
库存 1091
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 550mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 187.3 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 630mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳 6-PowerUDFN

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