SISH625DN-T1-GE3规格参数_sish625dn-t1-ge3现货热销【斯普仑】

SISH625DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® 1212-8SH

描述：MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK

2028 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SISH625DN-T1-GE3，现有足量库存。SISH625DN-T1-GE3的封装/规格参数为:PowerPAK® 1212-8SH；同时斯普仑现货为您提供SISH625DN-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SISH625DN-T1-GE3的详细使用方法及教程。

SISH625DN-T1-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SISH625DN-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	2028
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	17，3A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	126 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4427 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8SH

SISH625DN-T1-GE3

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心