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制造商：STMicroelectronics
封装外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
描述：MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STQ1HNK60R-AP，现有足量库存。STQ1HNK60R-AP的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时斯普仑现货为您提供STQ1HNK60R-AP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STQ1HNK60R-AP的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STQ1HNK60R-AP，现有足量库存。STQ1HNK60R-AP的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时斯普仑现货为您提供STQ1HNK60R-AP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STQ1HNK60R-AP的详细使用方法及教程。
| STQ1HNK60R-AP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | STQ1HNK60R-AP |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 库存 | 8706 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 剪切带（CT） , 带盒（TB） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 156 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
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