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制造商：Vishay Siliconix
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SUD20N10-66L-GE3，现有足量库存。SUD20N10-66L-GE3的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供SUD20N10-66L-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SUD20N10-66L-GE3的详细使用方法及教程。
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| SUD20N10-66L-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SUD20N10-66L-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 1599 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 66 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 860 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），41.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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