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BS107PSTZ

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：E-Line-3

描述：MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

4516 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的BS107PSTZ，现有足量库存。BS107PSTZ的封装/规格参数为:E-Line-3；同时斯普仑现货为您提供BS107PSTZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BS107PSTZ的详细使用方法及教程。

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BS107PSTZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 BS107PSTZ
描述 MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
库存 4516
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.6V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 85 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳 E-Line-3

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