SISS61DN-T1-GE3规格参数_siss61dn-t1-ge3现货热销【斯普仑】

SISS61DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® 1212-8S

描述：MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

2296 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SISS61DN-T1-GE3，现有足量库存。SISS61DN-T1-GE3的封装/规格参数为:PowerPAK® 1212-8S；同时斯普仑现货为您提供SISS61DN-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SISS61DN-T1-GE3的详细使用方法及教程。

SISS61DN-T1-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SISS61DN-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	2296
系列	TrenchFET® Gen III
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30.9A（Ta），111.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8740 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），65.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8S

SISS61DN-T1-GE3

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