NVTFWS014P04M8LTAG规格参数_nvtfws014p04m8ltag现货热销【斯普仑】

NVTFWS014P04M8LTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

6758 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFWS014P04M8LTAG，现有足量库存。NVTFWS014P04M8LTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFWS014P04M8LTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFWS014P04M8LTAG的详细使用方法及教程。

NVTFWS014P04M8LTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFWS014P04M8LTAG
描述	MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	6758
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.3A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 420µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1734 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），61W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NVTFWS014P04M8LTAG

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