XPN9R614MC,L1XHQ规格参数_xpn9r614mc,l1xhq现货热销【斯普仑】

XPN9R614MC,L1XHQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

3421 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的XPN9R614MC,L1XHQ，现有足量库存。XPN9R614MC,L1XHQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供XPN9R614MC,L1XHQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有XPN9R614MC,L1XHQ的详细使用方法及教程。

XPN9R614MC,L1XHQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	XPN9R614MC,L1XHQ
描述	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	3421
系列	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3000 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	840mW（Ta），100W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN

XPN9R614MC,L1XHQ

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