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CSD19537Q3

制造商：Texas Instruments

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

4122 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD19537Q3，现有足量库存。CSD19537Q3的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD19537Q3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD19537Q3的详细使用方法及教程。

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CSD19537Q3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD19537Q3
描述 MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
制造商 Texas Instruments
库存 4122
系列 NexFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 14.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1680 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerVDFN

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