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FDMC86265P

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP

2498 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMC86265P，现有足量库存。FDMC86265P的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMC86265P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMC86265P的详细使用方法及教程。

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FDMC86265P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDMC86265P
描述 MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
制造商 onsemi
库存 2498
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A（Ta），1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 210 pF @ 75 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.3W（Ta），16W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerWDFN

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