IRFH9310TRPBF规格参数_irfh9310trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH9310TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

3846 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH9310TRPBF，现有足量库存。IRFH9310TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFH9310TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH9310TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH9310TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH9310TRPBF
描述	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	3846
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.6 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	58 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5250 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

IRFH9310TRPBF

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