CSD19538Q3AT规格参数_csd19538q3at现货热销【斯普仑】

CSD19538Q3AT

制造商：Texas Instruments

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

6878 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD19538Q3AT，现有足量库存。CSD19538Q3AT的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD19538Q3AT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD19538Q3AT的详细使用方法及教程。

CSD19538Q3AT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD19538Q3AT
描述	MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
制造商	Texas Instruments
库存	6878
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	454 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），23W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-VSONP（3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

CSD19538Q3AT

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