NTTFS3D7N06HLTWG规格参数_nttfs3d7n06hltwg现货热销【斯普仑】

NTTFS3D7N06HLTWG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN

9926 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTTFS3D7N06HLTWG，现有足量库存。NTTFS3D7N06HLTWG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTTFS3D7N06HLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTTFS3D7N06HLTWG的详细使用方法及教程。

NTTFS3D7N06HLTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTTFS3D7N06HLTWG
描述	MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
制造商	onsemi
库存	9926
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Ta），103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3，9毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	32.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2383 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2，2W（Ta），83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NTTFS3D7N06HLTWG

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