欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

FDB86102LZ

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

7178 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB86102LZ，现有足量库存。FDB86102LZ的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供FDB86102LZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB86102LZ的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB86102LZ，现有足量库存。FDB86102LZ的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供FDB86102LZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB86102LZ的详细使用方法及教程。

FDB86102LZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDB86102LZ
描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
制造商 onsemi
库存 7178
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.3A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 8.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1275 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK（TO-263）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

猜您喜欢

onsemi

G15

onsemi

E3M0065090D

onsemi

C2M0080170P

onsemi

CPMF-1200-S160B

onsemi

CPMF-1200-S080B

onsemi

CPM2-1200-0160B

onsemi

CPM2-1200-0080B

onsemi

BUK7Y25-80E/GFX

onsemi

BUK7Y25-80E/CX

onsemi

PSMN7R6-60XSQ

onsemi

BUK761R5-40EJ

onsemi

PSMN8R5-108ESQ

onsemi

PSMN3R9-60XSQ

onsemi

BUK9C1R3-40EJ

onsemi

BUK951R8-40EQ

onsemi

PMT760EN,115

onsemi

PMT200EN,115

onsemi

BUK9C5R3-100EJ

onsemi

BUK9C3R8-80EJ

onsemi

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”