RS1E350GNTB规格参数_rs1e350gntb现货热销【斯普仑】

RS1E350GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

1130 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RS1E350GNTB，现有足量库存。RS1E350GNTB的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供RS1E350GNTB数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RS1E350GNTB的详细使用方法及教程。

RS1E350GNTB产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RS1E350GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
制造商	Rohm Semiconductor
库存	1130
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.7 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4060 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSOP
封装/外壳	8-PowerTDFN

RS1E350GNTB

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