IPAN60R800CEXKSA1规格参数_ipan60r800cexksa1现货热销【斯普仑】

IPAN60R800CEXKSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220

7036 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPAN60R800CEXKSA1，现有足量库存。IPAN60R800CEXKSA1的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供IPAN60R800CEXKSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPAN60R800CEXKSA1的详细使用方法及教程。

IPAN60R800CEXKSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPAN60R800CEXKSA1
描述	MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
制造商	Infineon Technologies
库存	7036
系列	CoolMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	800 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 170µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	373 pF @ 100 V
FET 功能	超级结
功率耗散（最大值）	27W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-FP
封装/外壳	TO-220-3 整包

IPAN60R800CEXKSA1

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