BSC082N10LSGATMA1规格参数_bsc082n10lsgatma1现货热销【斯普仑】

BSC082N10LSGATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

3317 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSC082N10LSGATMA1，现有足量库存。BSC082N10LSGATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供BSC082N10LSGATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSC082N10LSGATMA1的详细使用方法及教程。

BSC082N10LSGATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSC082N10LSGATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	3317
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13.8A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7400 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-1
封装/外壳	8-PowerTDFN

BSC082N10LSGATMA1

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