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TK3R2E06PL,S1X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3

描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

1845 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK3R2E06PL,S1X，现有足量库存。TK3R2E06PL,S1X的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK3R2E06PL,S1X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK3R2E06PL,S1X的详细使用方法及教程。

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TK3R2E06PL,S1X产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK3R2E06PL,S1X
描述 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 1845
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 71 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5000 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 168W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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