FDWS86068-F085规格参数_fdws86068-f085现货热销【斯普仑】

FDWS86068-F085

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN

5826 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDWS86068-F085，现有足量库存。FDWS86068-F085的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDWS86068-F085数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDWS86068-F085的详细使用方法及教程。

FDWS86068-F085产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDWS86068-F085
描述	MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
制造商	onsemi
库存	5826
系列	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2220 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	214W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5.1x6.3）
封装/外壳	8-PowerTDFN

FDWS86068-F085

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