STL26N60DM6规格参数_stl26n60dm6现货热销【斯普仑】

STL26N60DM6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV

3761 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL26N60DM6，现有足量库存。STL26N60DM6的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL26N60DM6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL26N60DM6的详细使用方法及教程。

STL26N60DM6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL26N60DM6
描述	MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
制造商	STMicroelectronics
库存	3761
系列	MDmesh™ DM6
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	215 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	940 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	110W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	8-PowerVDFN

STL26N60DM6

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