IRL7472L1TRPBF规格参数_irl7472l1trpbf现货热销【斯普仑】

IRL7472L1TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等距 L8

描述：MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET

2305 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL7472L1TRPBF，现有足量库存。IRL7472L1TRPBF的封装/规格参数为:DirectFET™ 等距 L8；同时斯普仑现货为您提供IRL7472L1TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL7472L1TRPBF的详细使用方法及教程。

IRL7472L1TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRL7472L1TRPBF
描述	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	2305
系列	StrongIRFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	375A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.59 毫欧 @ 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	330 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	20082 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），341W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳	DirectFET™ 等距 L8

IRL7472L1TRPBF

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