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TK10E60W,S1VX

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220

2061 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK10E60W,S1VX，现有足量库存。TK10E60W,S1VX的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK10E60W,S1VX数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK10E60W,S1VX的详细使用方法及教程。

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TK10E60W,S1VX产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK10E60W,S1VX
描述 MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2061
系列 DTMOSIV
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 380 毫欧 @ 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.7V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700 pF @ 300 V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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