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STH3N150-2

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型

描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK

6507 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STH3N150-2,现有足量库存。STH3N150-2的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型;同时斯普仑现货为您提供STH3N150-2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STH3N150-2的详细使用方法及教程。

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STH3N150-2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STH3N150-2
描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
制造商 STMicroelectronics
库存 6507
系列 PowerMESH™
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 939 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 H²PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型

为智能时代加速到来而付出“真芯”