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TK090N65Z,S1F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 650V 30A TO247

5772 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK090N65Z,S1F，现有足量库存。TK090N65Z,S1F的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TK090N65Z,S1F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK090N65Z,S1F的详细使用方法及教程。

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TK090N65Z,S1F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK090N65Z,S1F
描述 MOSFET N-CH 650V 30A TO247
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 5772
系列 DTMOSVI
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 47 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2780 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作温度 150°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3

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